Transistoren
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Uds 75 V, Id25 210 A, Rds(on) 0,0033 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 25 ns, td(off) 69 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 75 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 210 A-
Bestellnr.: 131255
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Uds 60 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0042 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 15 ns, td(off) 40 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-247AC- max. Drain-Source Voltage (Uds): 60 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 120 A-
Bestellnr.: 131351
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-55%
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Leistungs-Darlington-Transistor für Leistungsintensive SchalteranwendungenTechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 100 V- Kollektor-Basis-Spannung: 100 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 20 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 160
Bestellnr.: 131545
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-60%
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-55%
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Für HF Verstärker aller Art, bis in den UHF-Bereich (ca. 1000 MHz);Montage THT.Technische Daten:- U DG max:30 V- U GS max: -30 V- I GF max: 10 mA- U GS-off: -0,5 … -8 V- I DSS min: 6 … 13 mA- g fs: 4,5 mA/V @ UGS = 0V; UDS = 15 V- P V max:
Bestellnr.: 131494
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-48%
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Für Nf-Verstärker und SchaltanwendungenTechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 40 V- Kollektor-Basis-Spannung: 75 V- Emitter-Basis-Spannung: 6 V- Kollektorstrom: 0,6 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,625 W- Betriebstemperatur: -55 - 150
Bestellnr.: 131527
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Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = BC557ATechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V-Kollektor-Basis-Spannung: 50 V- Emitter-Basis-Spannung: 6 V- Kollektorstrom: 0,1 A- maximaler Kollektorstrom: 0,2 A- Verlustleistung
Bestellnr.: 131534
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Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen bis 150V, kompl.=2N5551Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 150 V- Kollektor-Basis-Spannung: 160 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 0,6 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,625 W-
Bestellnr.: 131525
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Darlingtontransistor für NF-Verstärker- und Schaltanwendungen. Kompl. = BD680Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 80 V- Kollektor-Basis-Spannung: 80 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 4 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 1,25
Bestellnr.: 131510
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Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.Technische Daten:- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm- Empfindlichkeit: 0,7 … 2,0 typ … 5,07 mA @ 1mW/cm², VCE= 5V- Öffnungswinkel: k. A.
Bestellnr.: 131487
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Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen bis 160V, kompl = 2N5401Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 160 V- Kollektor-Basis-Spannung: 180 V- Emitter-Basis-Spannung: 6 V- Kollektorstrom: 600 mA- Verlustleistung @Ta=25 °C: 625 mW-
Bestellnr.: 131526
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Darlingtontransistor für NF-Verstärker- und Schaltanwendungen. Kompl. = BD679Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 80 V- Kollektor-Basis-Spannung: 80 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 4 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 1,25
Bestellnr.: 131511
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Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker; Impedanzwandler (Fotodioden); NF/(HF)-Verstärker;Konstantstrom-Quellen; Steuerbare Widerstände in Regelschaltungen;Gitarrenverstärker usw.; Montage THT.Weitere J-FETs für diese
Bestellnr.: 131478
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-60%
SONDERPOSTEN
-8%
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker.Impedanzwandler; Konstantstromquellen; steuerbare Widerstände in Regelschaltungen usw; Montage THT.Weitere J-FETs für diese Anwendungen: J175; (N-Ch.: J111; J112; J113).Technische
Bestellnr.: 131495
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-53%
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NF- Transistor für Spannungen bis 80 V, kompl. = MPSA06Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 80 V- Kollektor-Basis-Spannung: 80 V- Emitter-Basis-Spannung: 4 V- Kollektorstrom: 0,5 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,625 W-
Bestellnr.: 131518
Sofort lieferbar, Lieferzeit 1-3 Werktage
HF-Transistor für VHF und schnelle SchalteranwendungenTechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 40 V- Kollektor-Basis-Spannung: 75 V- Emitter-Basis-Spannung: 6 V- Kollektorstrom: 0,8 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,5 W-
Bestellnr.: 131520
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