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Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRLZ44NPBF
Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRLZ44NPBF
Uds 55 V, Id25 47 A, Rds(on) 0,022 Ohm, Ugs(th) 1 V, td(on) 11 ns, td(off) 26 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 47 A
Bestellnr.: 131321

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Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP4110PBF
Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP4110PBF
Uds 100 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0045 Ohm, Ugs(th) 2 V, td(on) 25 ns, td(off) 78 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-247AC- max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25):
Bestellnr.: 131354

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J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semiconduktor, J175, P-Channel, TO-92
J-FET, Kleinsignaltransistor, ON Semiconduktor, J175, P-Channel, TO-92
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker.Impedanzwandler; Konstantstromquellen; steuerbare Widerstände in Regelschaltungen usw; Montage THT.Weitere J-FETs für diese Anwendungen: J176; (N-Ch.: J111; J112; J113).Technische
Bestellnr.: 131493

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Transistor BC558C, PNP, 30 V, 0,1 A, TO92
Transistor BC558C, PNP, 30 V, 0,1 A, TO92
Kleinleistungstransistor BC558C, PNP, UCES 30 V, UCBO 30 V, IC 100 mA, Ptot 500 mW, hFE 420...800, TO-92.
Bestellnr.: 130014

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Transistor BC338-40, NPN, 25 V, 0,8 A, TO92
Transistor BC338-40, NPN, 25 V, 0,8 A, TO92
Kleinleistungstransistor BC338-40, NPN; bipolar, 25 V, 800 mA, 625 mW, B 400, TO92
Bestellnr.: 130106

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Transistor, BD137-16
Transistor, BD137-16
Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO126 - U-max: 60V - I-max: 1,5A - P-max: 8W
Bestellnr.: 130198

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-22%
SONDERPOSTEN
Hochspannungs-Leistungstransistor BUT12AF
Hochspannungs-Leistungstransistor BUT12AF
NPN, VCBO 1000 V, VCEO 450 V, IC 8 A, Ptot 23 W, TO-220F.
Bestellnr.: 130448

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Leistungs-MOSFET IRF5305PBF
Leistungs-MOSFET IRF5305PBF
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 55 V, 31 A, 110 W, 0,06 Ohm, TO-220AB.
Bestellnr.: 131123

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Leistungs-MOSFET IRFD9024PBF
Leistungs-MOSFET IRFD9024PBF
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 60 V, 1,6 A, 1,3 W, 0,28 Ohm, DIP4.
Bestellnr.: 131127

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Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB7437PBF
Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB7437PBF
Uds 40 V, Id25 195 A, Rds(on) 0,002 Ohm, Ugs(th) 2,2 V, td(on) 19 ns, td(off) 78 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 40 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25):
Bestellnr.: 131287

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Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB7440PBF
Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB7440PBF
Uds 40 V, Id25 120 A, Rds(on) 0,0025 Ohm, Ugs(th) 2,2 V, td(on) 24 ns, td(off) 115 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 40 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25):
Bestellnr.: 131288

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Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRLB4030PBF
Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRLB4030PBF
Uds 100 V, Id25 180 A, Rds(on) 0,0043 Ohm, Ugs(th) 1 V, td(on) 74 ns, td(off) 110 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25):
Bestellnr.: 131315

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Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP2907PBF
Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFP2907PBF
Uds 75 V, Id25 209 A, Rds(on) 0,0045 Ohm, Ugs(th) 2 V, td(on) 23 ns, td(off) 130 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-247AC- max. Drain-Source Voltage (Uds): 75 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25):
Bestellnr.: 131347

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-21%
SONDERPOSTEN
IRFDC20PBF Power MOSFET
IRFDC20PBF Power MOSFET
Leistungs-MOSFET im HVMDIP- Gehäuse.Technische Daten:- max. Drain-Source Voltage (Vds): 600 V- max. Continuous Drain Current at Ta 25°: 0,32 A- max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 4,4 Ohm- min. Gate Threshold Voltage (Vgs th): 2 V- Turn On
Bestellnr.: 131477

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-34%
SONDERPOSTEN
Transistor, BSW65
Transistor, BSW65
BSW65 - TO39
Bestellnr.: 130138

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Transistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
(1)
Transistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
Leistungstransistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
Bestellnr.: 130326

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Transistor BC107B, NPN, 45 V, 0,2A, 0,3W, TO18
Transistor BC107B, NPN, 45 V, 0,2A, 0,3W, TO18
Kleinleistungstransistor BC107B, NPN, 45 V, 0,2A, 0,3W, B:200-450, TO18
Bestellnr.: 130841

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Transistor, Schalter, BC640
Transistor, Schalter, BC640
Technische Daten:- Polung: PNP - Gehäuse: TO92 - U-max: 80V - I-max: 1A - P-max: 0,8W
Bestellnr.: 131088

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Transistor BD911, NPN, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220
Transistor BD911, NPN, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220
Leistungstransistor, bipolar, NF, NPN, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220.
Bestellnr.: 131097

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Leistungs-MOSFET IRF1405PBF
Leistungs-MOSFET IRF1405PBF
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 55 V, 169 A, 330 W, 0,0053 Ohm, TO-220AB.
Bestellnr.: 131119

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-40%
SONDERPOSTEN
NF-Leistungstransistor RFT SD336
NF-Leistungstransistor RFT SD336
PNP, UCBO 45 V, UCEO 45 V, IC 1,5 A, Ptot 12,5 W,
Bestellnr.: 131137

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Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3205PBF
Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF3205PBF
Uds 55 V, Id25 110 A, Rds(on) 0,008 Ohm, Ugs(th) 2 V, td(on) 14 ns, td(off) 50 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 110
Bestellnr.: 131239

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Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF5210PBF
Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRF5210PBF
Uds 100 V, Id25 40 A, Rds(on) 0,060 Ohm, Ugs(th) 2 V, td(on) 17 ns, td(off) 79 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 40
Bestellnr.: 131249

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Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB3206PBF
Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB3206PBF
Uds 60 V, Id25 75 A, Rds(on) 0,003 Ohm, Ugs(th) 2 V, td(on) 19 ns, td(off) 55 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 60 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 75 A
Bestellnr.: 131257

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SONDERPOSTEN
Kleinleistungs-Transistor RFT SS218D
Kleinleistungs-Transistor RFT SS218D
"Miniplasttransistor" aus ehemaligen DDR-Beständen. VCEO 15 V, VCBO 20 V, IC 0,1 A, Ptot 0,2 W, hFE 112...280,
Bestellnr.: 131430

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Transistor BC160-16, PNP, 40 V, 1 A, TO39
Transistor BC160-16, PNP, 40 V, 1 A, TO39
Kleinleistungstransistor ,PNP, VCBO 40 V, VCES 40 V, IC 1 A, Ptot 3,7 W, 50 MHz, TO-39.
Bestellnr.: 130005

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Transistor BDV64B, PNP-Darl., 100 V, 10 A, 125 W, TO247
Transistor BDV64B, PNP-Darl., 100 V, 10 A, 125 W, TO247
Leistungstransistor BDV64B, PNP-Darlington, 100 V, 10 A, 125 W, TO247
Bestellnr.: 130135

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Transistor BDV65B, NPN-Darl., 100 V, 10 A, 125 W, TO247
Transistor BDV65B, NPN-Darl., 100 V, 10 A, 125 W, TO247
Leistungstansistor BDV65B, NPN-Darlington, 100 V, 10 A, 125 W, TO247
Bestellnr.: 130136

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Transistor, TIP120
Transistor, TIP120
TIP120 - NPN, Darl, 60 V, 5 A, 65 W - TO220
Bestellnr.: 130342

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SONDERPOSTEN
Hochspannungs-Leistungstransistor BUT18AF
Hochspannungs-Leistungstransistor BUT18AF
NPN, VCBO 1000 V, VCEO 450 V, IC 6 A, Ptot 33 W, TO-220F.
Bestellnr.: 130449

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SONDERPOSTEN
SMD-Transistor BFR93AW, 10 Stück
SMD-Transistor BFR93AW, 10 Stück
BFR93AW - Si-N, RF, 6 GHz - SOT323 - 10 Stück
Bestellnr.: 130855

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Leistungs-MOSFET IRF530NPBF
(1)
Leistungs-MOSFET IRF530NPBF
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 17 A, 70 W, 0,09 Ohm, TO-220AB.
Bestellnr.: 131116

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Leistungs-MOSFET IRF9540NPBF
Leistungs-MOSFET IRF9540NPBF
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 23 A, 140 W, 0,117 Ohm, TO-220AB.
Bestellnr.: 131122

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Leistungs-MOSFET IRFD024PBF
Leistungs-MOSFET IRFD024PBF
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 60 V, 2,5 A, 1,3 W, 0,1 Ohm, DIP4.
Bestellnr.: 131125

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IGBT INFINEON IGW40N60H3
IGBT INFINEON IGW40N60H3
Uces 600 V, Ics25 80 A, Icpuls 160 A, Ptot 306 W, Ugeth 4,1 V, tdon 19 ns, tdoff 197 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-247- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 600 V- max. Continuous Collector Current at
Bestellnr.: 131154

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-44%
SONDERPOSTEN
SMD Very Fast PowerMESH IGBT STGB6NC60HDT4
SMD Very Fast PowerMESH IGBT STGB6NC60HDT4
N-Channel, 600 V, 7 A, D²PAK.Technische Daten:- Typ: STGB6NC60HDT4- Gehäuse: D2PAK- Hersteller: STMicroelectronics- Kategorie: IGBT- Kollektor-Ermitter-Sperrspannung U(CES): 600 V- IC: 15 A- I(CM): 21 A- VCE Sättigung (max.): 2.5
Bestellnr.: 131373

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Transistor TIP2955, PNP, 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
(1)
Transistor TIP2955, PNP, 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
Leistungstransistor TIP2955, PNP, 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
Bestellnr.: 131476

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Transistor BC327-25, PNP, 45 V, 0,8 A, TO92
Transistor BC327-25, PNP, 45 V, 0,8 A, TO92
Kleinleistungstransistor, PNP, 45 V, 0,8 A, 200 MHz, hFE 160...400,
Bestellnr.: 130008

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SONDERPOSTEN
Leistungs-Transistor BD355
Leistungs-Transistor BD355
PNP, 40 V, 3 A, 12,5 W, > 30 MHz, TO-66. Vergleichstypen: 2SA748, MJE15029, 2SA1288,
Bestellnr.: 130115

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SONDERPOSTEN
Transistor, BF622, 10 Stück
Transistor, BF622, 10 Stück
BF622 - 10 Stück
Bestellnr.: 130131

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Transistor BC177B, PNP, 45 V, 0,2 A, TO18
Transistor BC177B, PNP, 45 V, 0,2 A, TO18
Kleinleistungstransistor BC177B, PNP, 45 V, 0,2 A, 0,6 W, 300 MHz, TO18
Bestellnr.: 130241

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Transistor; Leistung, TBD237
Transistor; Leistung, TBD237
Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO126 - U-max: 80V - I-max: 2A - P-max: 25W
Bestellnr.: 130351

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-12%
Transistor, BD682
Transistor, BD682
Technische Daten:- Polung: PNP - Gehäuse: TO126 - U-max: 100V - I-max: 4A - P-max: 40W
Bestellnr.: 130928

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Leistungs-MOSFET IRF540NBBF
Leistungs-MOSFET IRF540NBBF
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 33 A, 130 W, 0,044 Ohm, TO-220AB.
Bestellnr.: 131117

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Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRL540NPBF
Leistungs-MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER IRL540NPBF
Uds 100 V, Id25 36 A, Rds(on) 0,044 Ohm, Ugs(th) 1 V, td(on) 11 ns, td(off) 39 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 36
Bestellnr.: 131300

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Fototransistor PT908-7C; NPN; Tageslicht und Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse; EVERLIGHT
Fototransistor PT908-7C; NPN; Tageslicht und Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse; EVERLIGHT
Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.Technische Daten:- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm- Empfindlichkeit: 0,8 … 5,0 mA @ 0,555 mW/cm², VCE= 5 V- Öffnungswinkel: k. A. -
Bestellnr.: 131488

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Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund; EVERLIGHT
Fototransistor PT333-3C; Tageslicht und Infrarot; 5 mm rund; EVERLIGHT
Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss. RoHS konform.Technische Daten:- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm- Empfindlichkeit: 0,7 … 4,0 mA … 7,1 mA @ 1 mW/cm², VCE= 5 V- Öffnungswinkel: k.A.
Bestellnr.: 131490

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Transistor BC140-16, NPN, 40 v, 1 A, TO39
Transistor BC140-16, NPN, 40 v, 1 A, TO39
Kleinleistungstransistor BC140-16, NPN, 40 v, 1 A, 50 MHz, B 100..250, TO39
Bestellnr.: 130003

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