Transistoren günstig kaufen

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF9530NPBF

Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 14 A, 79 W, 0,2 Ω, TO-220AB.

Bestellnr.: 131121

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Transistor BDV65B, NPN-Darl., 100 V, 10 A, 125 W, TO247

Leistungstansistor BDV65B, NPN-Darlington, 100 V, 10 A, 125 W, TO247

Bestellnr.: 130136

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CDIL Bipolar, Leistungstransistor, BC141-10, TO-39, NPN

Für NF-Verstärker- und Schaltanwendungen. Kompl. = BC161-10Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 60 V- Kollektor-Basis-Spannung: 100 V- Emitter-Basis-Spannung: 7 V- Kollektorstrom: 1 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,8 W-

Bestellnr.: 131504

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ON SEMICONDUCTOR Transistor

Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO126 - U-max: 80V - I-max: 4A - P-max: 36W

Bestellnr.: 131095

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(1)

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF530NPBF

Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 17 A, 70 W, 0,09 Ω, TO-220AB.

Bestellnr.: 131116

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Transistor BC559C, PNP, 30 V, 0,1A, 0,5 W, TO92

Kleinleistungstransistor BC559C, VCEO 30 V, VCBO 30 V, IC 0,1 A, Ptot 0,5 W, hFE 420...800, TO92.

Bestellnr.: 130269

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ON SEMICONDUCTOR Transistor BD442G

Technische Daten:- Polung: PNP - Gehäuse: TO126 - U-max: 80V - I-max: 4A - P-max: 36W

Bestellnr.: 131482

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ST MICROELECTRONICS Transistor TIP 121, NPN-Darl., 80V, 5A, 65W, TO220

TIP121 - NPN, Darl, 80 V, 5 A, 65 W - TO220

Bestellnr.: 131471

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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF1404PBF

Uds 40 V, Id25 202 A, Rds(on) 0,004 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 17 ns, td(off) 46 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 40 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 202 A-

Bestellnr.: 131236

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Transistor BC338-40, NPN, 25 V, 0,8 A, TO92

Kleinleistungstransistor BC338-40, NPN; bipolar, 25 V, 800 mA, 625 mW, B 400, TO92

Bestellnr.: 130106

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(1)

ON SEMICONDUCTOR Transistor, Kleinsignal, BC32740BU

Technische Daten:- Polung: PNP - Gehäuse: TO92 - U-max: 45V - I-max: 0,8A - P-max: 0,62W

Bestellnr.: 130009

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CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, BC109C, TO-18, NPN

Speziell für rauscharme NF-Verstärkerstufen. Kompl. = BC179CTechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 25 V- Kollektor-Basis-Spannung: 30 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 0,2 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,3 W-

Bestellnr.: 131502

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CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, BC546C, TO-92, NPN

Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = BC556CTechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 65 V-Kollektor-Basis-Spannung: 80 V- Emitter-Basis-Spannung: 6 V- Kollektorstrom: 0,1 A- maximaler Kollektorstrom: 0,2 A- Verlustleistung

Bestellnr.: 131533

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(1)

Transistor BC556B, PNP, 80 V, 0,1 A, TO92

Kleinleistungstransistor BC556B, PNP, Uces 80 V, Ucbo 80 V, Ic 100 mA, Ptot 500 mW, hFE 200...450, TO-92.

Bestellnr.: 130363

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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB4332PBF

Uds 250 V, Id25 60 A, Rds(on) 0,033 Ω, Ugs(th) 3 V, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 250 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 60 A- max. Drain-Source

Bestellnr.: 131279

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ON SEMICONDUCTOR Transistor, Kleinsignal, BC547BBU

Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO 92 - U-max: 45V - I-max: 0,1A - P-max: 0,5W

Bestellnr.: 131479

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Transistor BDV64B, PNP-Darl., 100 V, 10 A, 125 W, TO247

Leistungstransistor BDV64B, PNP-Darlington, 100 V, 10 A, 125 W, TO247

Bestellnr.: 130135

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Transistor, BC559B, Bipolar

Technische Daten:- Polung: PNP- Gehäuse: TO92- U-max: 30 V - I-max: 0,1 A

Bestellnr.: 130638

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(1)

ON SEMICONDUCTOR Transistor, Kleinsignal, BC33740BU

Technische Daten:- Polung: PNP - Gehäuse: TO92 - U-max: 45V - I-max: 0,8A - P-max: 0,62W

Bestellnr.: 130375

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CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, BC548A, TO-92, NPN

Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = BC558ATechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 30 V-Kollektor-Basis-Spannung: 30 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 0,1 A- maximaler Kollektorstrom: 0,2 A- Verlustleistung

Bestellnr.: 131535

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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF1010NPBF

Uds 55 V, Id25 85 A, Rds(on) 0,011 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 13 ns, td(off) 39 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 85 A-

Bestellnr.: 131231

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EVERLIGHT Fototransistor PT908-7C; NPN; Tageslicht und Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;

Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.Technische Daten:- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm- Empfindlichkeit: 0,8 … 5,0 mA @ 0,555 mW/cm², VCE= 5 V- Öffnungswinkel: k. A. -

Bestellnr.: 131488

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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB7437PBF

Uds 40 V, Id25 195 A, Rds(on) 0,002 Ω, Ugs(th) 2,2 V, td(on) 19 ns, td(off) 78 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 40 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 195 A-

Bestellnr.: 131287

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DIOTEC Transistor, Kleinsignal, BC557B-BK

Technische Daten:- Polung: PNP - Gehäuse: TO92 - U-max: 45V - I-max: 0,1A - P-max: 0,5W

Bestellnr.: 131480

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-20%

INFINEON Transistor, IRF7416PBF , SMD, Leistung

Technische Daten:- Polung: P-Ch - Gehäuse: SO8 - U-max: 30V - I-max: 10A - P-max: 2,5W

Bestellnr.: 131484

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CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, BF423, TO-92, PNP

HF-Transistor, für Videoverstärker, Kompl. = BF422Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 250 V- Kollektor-Basis-Spannung: 250 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 0,5 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,8 W- Betriebstemperatur:

Bestellnr.: 131516

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SONDERPOSTEN

Hochspannungs-Leistungstransistor mit Damper-Diode BUH515D

NPN, VCES 1500 V, VCEO 700 V, IC 8 A, Ptot 50 W, TO-3PML.

Bestellnr.: 131452

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(1)

Transistor BC161-16, NPN, 60 V, 1 A, TO39

Kleinleistungstransistor BC161-16 - Si-P, NF-Tr/E, 60 V, 1 A, 0,75 W, > 50 MHz - TO39

Bestellnr.: 130006

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CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, BF422, TO-92, NPN

HF-Transistor, für Videoverstärker, kompl. = BF423Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 250 V- Kollektor-Basis-Spannung: 250 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 0,5 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,8 W- Betriebstemperatur:

Bestellnr.: 131515

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-40%

SONDERPOSTEN

IRFDC20PBF Power MOSFET

Leistungs-MOSFET im HVMDIP- Gehäuse.Technische Daten:- max. Drain-Source Voltage (Vds): 600 V- max. Continuous Drain Current at Ta 25°: 0,32 A- max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 4,4 Ω- min. Gate Threshold Voltage (Vgs th): 2 V- Turn On

Bestellnr.: 131477

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-8%

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFD9210PBF

Leistungs-MOSFET, P-Channel, 200 V, 0,4 A, 1,0 W, 3,0 Ω, DIP4.

Bestellnr.: 131128

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-13%

ST MICROELECTRONICS Transistor TIP126, PNP-Darl., 80V, 5A, 65W, TO220

Bipolarer Transistor, Darlington, PNP, Uces -80 V, Ic -5 A, Ptot 65 W, hFE 1000, TO-220

Bestellnr.: 131467

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-16%

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB38N20DPBF

Uds 200 V, Id25 38 A, Rds(on) 0,054 Ω, Ugs(th) 3 V, td(on) 16 ns, td(off) 29 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 200 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 38 A-

Bestellnr.: 131264

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-18%

INFINEON IGBT IKW25N120T2

Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 349 W, Ugeth 5,2 V, tdon 27 ns, tdoff 265 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-247- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 1200 V- max. Continuous Collector Current at

Bestellnr.: 131159

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INFINEON Transistor, IRFR024NTRLPBF , SMD, Leistung

Technische Daten:- Polung: N-Ch - Gehäuse: TO252AA - U-max: 55V - I-max: 17A - P-max: 45W

Bestellnr.: 131109

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1,58 €

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ON SEMICONDUCTOR Transistor, Kleinsignal, BC547CBU

Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO92 - U-max: 45V - I-max: 0,1A - P-max: 0,5W

Bestellnr.: 130370

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INFINEON IGBT IKW15N120H3

Uces 1200 V, Ics25 30 A, Icpuls 60 A, Ptot 217 W, Ugeth 5 V, tdon 21 ns, tdoff 260 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-247- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 1200 V- max. Continuous Collector Current at

Bestellnr.: 131157

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7,65 €

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INFINEON IGBT IGW25N120H3

Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 326 W, Ugeth 5 V, tdon 27 ns, tdoff 277 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-247- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 1200 V- max. Continuous Collector Current at

Bestellnr.: 131153

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6,19 €

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-29%

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFP4332PBF

Uds 250 V, Id25 57 A, Rds(on) 0,033 Ω, Ugs(th) 3 V, TO-247.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-247AC- max. Drain-Source Voltage (Uds): 250 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 57 A- max. Drain-Source

Bestellnr.: 131360

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5,05 € 3,61 € 1,44 € sparen

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-10%

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRLB3036PBF

Uds 60 V, Id25 195 A, Rds(on) 0,0024 Ω, Ugs(th) 1 V, td(on) 66 ns, td(off) 110 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 60 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 195 A-

Bestellnr.: 131313

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3,72 € 3,36 € 0,36 € sparen

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-59%

FET STP60NF10, N-Cahnnel, 100V, TO-220

STP60NF10 - N-Channel, 100 V, 80 A, 0,019 Ω - TO220

Bestellnr.: 131022

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3,42 € 1,40 € 2,02 € sparen

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ST MICROELECTRONICS Transistor; STMicroelectronics; Darlington, BD682

Technische Daten:- Polung: PNP - Gehäuse: TO126 - U-max: 100V - I-max: 4A - P-max: 40W

Bestellnr.: 130928

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CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, BCY79-9, TO-18, PNP

Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = BCY59-9Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 0,2 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,6 W- Betriebstemperatur: -65 -200 °C- Montage: THT

Bestellnr.: 131531

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0,45 €

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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF8010PBF

Uds 100 V, Id25 80 A, Rds(on) 0,015 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 15 ns, td(off) 61 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 80 A-

Bestellnr.: 131250

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1,64 €

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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFZ48NPBF

Uds 55 V, Id25 64 A, Rds(on) 0,014 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 12 ns, td(off) 34 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 64 A-

Bestellnr.: 131297

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0,95 €

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-10%

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF9520NPBF

Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 6,8 A, 48 W, 0,48 Ω, TO-220AB.

Bestellnr.: 131120

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0,84 € 0,76 € 0,08 € sparen

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CDIL Bipolar, Kleinleistungstransistor, BCY59-9, TO-18, NPN

Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = BCY97-9Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V- Emitter-Basis-Spannung: 7 V- Kollektorstrom: 0,2 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,6 W- Betriebstemperatur: -65 -200 °C- Montage: THT

Bestellnr.: 131530

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-7%

INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRF630NPBF

Uds 200 V, Id25 9,3 A, Rds(on) 0,300 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 7,9 ns, td(off) 27 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 200 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 9,3 A

Bestellnr.: 131227

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