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EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;

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  • 4049702167075

Top-Features:
  • Doppel-Fototransistor PT5529B von EVERLIGHT
  • NPN-Transistor mit gemeinsamen Kollektor
  • Wellenlänge 400-940-1100 nm
  • Empfindlichkeit 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm²
  • VCE max. 30V mA, VEC max. 5V

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EVERLIGHT Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse;

Schneller, empfindlicher Doppel-Fototransistor mit gemeinsamen Kollektor; im schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.

Technische Daten:
  • Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm
  • Empfindlichkeit: 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm², VCE= 5V
  • Öffnungswinkel: k. A.
  • VCE max.: 30V mA
  • VEC max.: 5 V
  • IC max.: 20 mA
  • IC off: 100 nA @ Vce=20 V
  • tr: 15 µsec
  • tf: 15 µsec
  • PVmax: 75 mW @ 25 °C
  • Temp. Bereich: -25 … 85 °C
  • Gehäuse: 4,5 x 4,8 x 2,8 mm mit Seitenlinse 1,5 mm
  • Montage: THT

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