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Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse; EVERLIGHT

Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse; EVERLIGHT

  • 131489

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Doppel-Fototransistor PT5529B; NPN; Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse; EVERLIGHT

Schneller, empfindlicher Doppel-Fototransistor mit gemeinsamen Kollektor; im schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.

Technische Daten:
  • Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm
  • Empfindlichkeit: 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm², VCE= 5V
  • Öffnungswinkel: k. A.
  • VCE max.: 30V mA
  • VEC max.: 5 V
  • IC max.: 20 mA
  • IC off: 100 nA @ Vce=20 V
  • tr: 15 µsec
  • tf: 15 µsec
  • PVmax: 75 mW @ 25 °C
  • Temp. Bereich: -25 … 85 °C
  • Gehäuse: 4,5 x 4,8 x 2,8 mm mit Seitenlinse 1,5 mm
  • Montage: THT


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