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Fototransistor PT908-7C; NPN; Tageslicht und Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse; EVERLIGHT

Fototransistor PT908-7C; NPN; Tageslicht und Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse; EVERLIGHT

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Fototransistor PT908-7C; NPN; Tageslicht und Infrarot; Flachgehäuse mit Seitenlinse; EVERLIGHT

Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.

Technische Daten:
  • Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm
  • Empfindlichkeit: 0,8 … 5,0 mA @ 0,555 mW/cm², VCE= 5 V
  • Öffnungswinkel: k. A.
  • VCE max: 30 V
  • VEC max: 5 V
  • IC max: 20 mA
  • IC off: 100 nA @ Vce=20 V
  • tr: 15 µsec
  • tf: 15 µsec
  • PV max: 75 mW @ 25 °C
  • Temp. Bereich: -25 … 85 °C
  • Gehäuse: 4,5 x 5,7 x1,5 mm mit Seitenlinse 1,5 mm
  • Montage: THT


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