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Top-Features:
- Typ: IGBT
- Bauform: TO-220
- Uces: 650 V
- Ic25: 74 A
- Icpuls: 120 A
Transistor BD911, NPN, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220
Artikelnummer: 131097
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INTERNATIONAL RECTIFIER Leistungs-MOSFET IRFB7437PBF
Artikelnummer: 131287
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ON Semiconductor, Transistor, MJH6284, NPN, THT
Artikelnummer: 131545
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Produktinformationen "INFINEON IGBT IGP40N65F5"
Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 250 W, Ugeth 4 V, tdon 20 ns, tdoff 175 ns, TO-220.
Technische Daten:
- Typ: IGBT
- Bauform: TO-220
- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 650 V
- max. Continuous Collector Current at 25°(Ic25): 74 A
- max. Pulsed Collector Current (Icpuls): 120 A
- Power Dissipation (Ptot): 250 W
- min. Gate Thereshold Voltage (Uge th): 4 V
- Turn On Delay Time (td on): 20 ns
- Turn Off Delay Time (td off): 175 ns
- Hersteller: INFINEON
- Herstellerartikelnummer: IGP40N65F5
- Datenblatt: http://www.infineon.com/
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