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Top-Features:
- Arbeitsspannung: 36 V
- Breakdown-Spannung min/max: 40,0/44,2 V
- Hochleistungs-TVS-Diode
- DO-218AB-Gehäuse
- Peak Pulse Power 6600 W
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S36AH
Artikelnummer: 141020
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S36AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S24AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S17AH
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DIOTEC Dioden 1N5404, 10 Stück
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MBR 1660, Schottkydiode, 60 V, 16 A , TO220
Artikelnummer: 140872
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MBR 2560 CT, Schottkydiode, 60 V, 30 A (2x15A), TO220
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Produktinformationen "TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S36AH"
Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.
Technische Daten:
- Arbeitsspannung: 36 V
- Breakdown-Spannung min/max: 40,0/44,2 V
- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W
- Peak Pulse Current Ipp: 114 A
- Peak Forward Voltage: 1,8 V
- Clamping Voltage @ Ippm: 58,1 V
Verfügbare Downloads
Dioden-Typ: | TVS-Diode |
---|---|
Farbe: | schwarz |
Menge: | 1 St. |
Nennspannung max.: | 36 V |
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