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Artikelnummer: 141004

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S36AH

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S36AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S24AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S33AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S40AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S43AH
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VISHAY Infrarot-Sendediode TEMIC TSHA6500, 10 Stück
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BAT 46 Schottky Diode 100 V, 0,15 A
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Artikelnummer: 140856
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Schottky-Diode 1N5822, 3 A/40 V
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Artikelnummer: 936059
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Diode RS8DT
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Dioden, 1N4004, 1 A, 400 V, 10 Stück
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Artikelnummer: 140298
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    DIOTEC Dioden 1N5404, 10 Stück
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    Diode, 1N4004, 1 A, 400 V
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    Artikelnummer: 140018
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      MBR 1660, Schottkydiode, 60 V, 16 A , TO220
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      Artikelnummer: 140872
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      Dioden 1N4007G, Packung mit 10 Stück
      Dioden 1N4007G, Packung mit 10 Stück
      Artikelnummer: 140727
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        MBR 2560 CT, Schottkydiode, 60 V, 30 A (2x15A), TO220
        MBR 2560 CT, Schottkydiode, 60 V, 30 A (2x15A), TO220
        Artikelnummer: 140873
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        Diode 1N4007, axial
        Diode 1N4007, axial
        Artikelnummer: 140020
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        Produktinformationen "TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S36AH"
        Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.

        Technische Daten:

        • Arbeitsspannung: 36 V
        • Breakdown-Spannung min/max: 40,0/44,2 V
        • Peak Pulse Power Pppm: 6600 W
        • Peak Pulse Current Ipp: 114 A
        • Peak Forward Voltage: 1,8 V
        • Clamping Voltage @ Ippm: 58,1 V

        Verfügbare Downloads

        Dioden-Typ: TVS-Diode
        Farbe: schwarz
        Menge: 1 St.
        Nennspannung max.: 36 V

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