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Transistor KT819G

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Technische Daten: Ausführung: NPN Uce max: 100 V Ueb max: 5 V Ic max: 10 A Ib max: 3 A Pc... mehr

Transistor KT819G

Si-Leistungstransistor aus russischen Beständen .

Technische Daten:

  • Ausführung: NPN
  • Uce max: 100 V
  • Ueb max: 5 V
  • Ic max: 10 A
  • Ib max: 3 A
  • Pc max: 60 W
  • hFE: 15
  • Sperrschichttemperatur: 125 °C
  • Gehäusebauform: TO-220
  • Vergleichstypen: 2N5496, 2N6110, 2N6292, BD203, BD537, BD711

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