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Transistor KT819G

Transistor KT819G

  • 131134

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Transistor KT819G

Si-Leistungstransistor aus russischen Beständen .

Technische Daten:
  • Ausführung: NPN
  • Uce max: 100 V
  • Ueb max: 5 V
  • Ic max: 10 A
  • Ib max: 3 A
  • Pc max: 60 W
  • hFE: 15
  • Sperrschichttemperatur: 125 °C
  • Gehäusebauform: TO-220
  • Vergleichstypen: 2N5496, 2N6110, 2N6292, BD203, BD537, BD711

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Bewertungen

1.00 (1 Bewertung)

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0.50/5.00 Sternen Leo123 10.01.2020

14% Schrott

Von 100 Stück waren 14 Stück defekt.

Antwort

Hallo, vielen Dank für Ihre Bewertung. Wir werden hier nochmals einige Stichproben testen. Viele Grüße, 

Ihr Team von Pollin.de
27.01.2020
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