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VISHAY Leistungs-MOSFET SUM110N10-09

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VISHAY Leistungs-MOSFET SUM110N10-09

Technische Daten:

    - Typ: Leistungs-MOSFET SUM110N10-09
    - Bauform: TO-263 (D2PAK)
    - max. Drain-Source Voltage (Uds): 100 V
    - max. Continuous Drain Current (Tj=175°C) at Tc 25°: 110 A
    - max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 0,0095 Ω
    - min. Gate Threshold Voltage (Ugs th): 2 V
    - Turn On Delay Time (td on): 20 ns
    - Turn Off Delay Time (td off): 55 ns
    - max. Arbeitstemperatur: 175 °C

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