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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S40AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 40 V- Breakdown-Spannung min/max: 44,4/49,1 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 102 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 141005

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S16AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 16 V- Breakdown-Spannung min/max: 17,8/19,7 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 254 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 140998

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MBR 1660, Schottkydiode, 60 V, 16 A , TO220

Schottkydiode 60 V, 16 A im TO 220 AB Gehäuse.

Bestellnr.: 140872

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S24AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 24 V- Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 170 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 141000

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S43AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 43 V- Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V- Peak Pulse Power Pppm: 4600 W- Peak Pulse Current Ipp: 66 A- Peak Forward Voltage: 1,9 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 140992

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S12AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 12 V- Breakdown-Spannung min/max: 13,3/14,7 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 332 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S28AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 28 V- Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 145 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 141001

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S20AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 20 V- Breakdown-Spannung min/max: 22,2/24,5 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 204 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 140999

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 11 V- Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 363 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 140993

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S26AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 26 V- Breakdown-Spannung min/max: 28,9/31,9 V- Peak Pulse Power Pppm: 4600 W- Peak Pulse Current Ipp: 106 A- Peak Forward Voltage: 1,9 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 140988

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S14AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 14 V- Breakdown-Spannung min/max: 15,6/17,2 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 284 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 140996

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S13AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 13 V- Breakdown-Spannung min/max: 14,4/15,9 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 307 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 140995

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S15AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 15 V- Breakdown-Spannung min/max: 16,7/18,5 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 270 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 140997

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S36AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 36 V- Breakdown-Spannung min/max: 40,0/44,2 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 114 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 141004

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S33AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 33 V- Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V- Peak Pulse Power Pppm: 4600 W- Peak Pulse Current Ipp: 86 A- Peak Forward Voltage: 1,9 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 140991

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S24AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 24 V- Breakdown-Spannung min/max: 26,7/29,5 V- Peak Pulse Power Pppm: 4600 W- Peak Pulse Current Ipp: 118 A- Peak Forward Voltage: 1,9 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 140987

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S43AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 43 V- Breakdown-Spannung min/max: 47,8/52,8 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 95,1 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @

Bestellnr.: 141006

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S33AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 33 V- Breakdown-Spannung min/max: 36,7/40,6 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 124 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 141003

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S30AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 30 V- Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V- Peak Pulse Power Pppm: 6600 W- Peak Pulse Current Ipp: 136 A- Peak Forward Voltage: 1,8 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 141002

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S30AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 30 V- Breakdown-Spannung min/max: 33,3/36,8 V- Peak Pulse Power Pppm: 4600 W- Peak Pulse Current Ipp: 95 A- Peak Forward Voltage: 1,9 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 140990

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S28AH

Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.Technische Daten:- Arbeitsspannung: 28 V- Breakdown-Spannung min/max: 31,1/34,4 V- Peak Pulse Power Pppm: 4600 W- Peak Pulse Current Ipp: 101 A- Peak Forward Voltage: 1,9 V- Clamping Voltage @ Ippm:

Bestellnr.: 140989

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Diode 1N4148, axial

PD 500 mW, IFM 450 mA, IFSM 2 A, VRRM 100 V, DO-35.

Bestellnr.: 140021

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Diode 1N4007, axial

1 A, 1000 V.

Bestellnr.: 140020

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Diode, Schottky, SB560, 5 A, 60 V

Schottky Diode SB560 - 5 A - 60 V

Bestellnr.: 140259

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Dioden, 1N4004, 1 A, 400 V, 10 Stück

1N4004 - 1 A - 400 V - 10 Stück

Bestellnr.: 140298

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Schottky-Diode 1N5819

1 A, 40 V, DO-41.

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BAT 46 Schottky Diode 100 V, 0,15 A

Schottky Diode, Sperrspannung 100 V, Durchlassstrom 150 mA, Durchlassspannung 0,9 V

Bestellnr.: 140856

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TVS-Schutzdiode 1,5KE400CA

VBR 400 V, Ppp 1500 W, bidirektional, axial.

Bestellnr.: 140560

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Diode, 1N4004, 1 A, 400 V

1N4004 - 1 A - 400 V

Bestellnr.: 140018

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SMD Schottky-Diode SS14M, 1 A/40 V

1 A, 40 V, 2,7x1,35 mm.

Bestellnr.: 140792

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Diode SB360, 3 A, 60 V

Schottky Diode SB360 - 3 A - 60 V

Bestellnr.: 140163

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DIOTEC Suppressordiode / TVS-Diode, P6KE27A, Unidirektional, Sperrspannung 23,1, Durchlassstrom 16,8

Technische Daten:- Dioden-Typ: TVS- Sperrspannung U(R) [V]: 23,1- Sperrstrom I(R) [µA]: 5- Durchlassstrom I(F) [A]: 16,8- Polarität: Unidirektional- Toleranz: + / - [%]5- Montageart: THT- Bauart: Axial- Produkt-Art: Suppressordiode /

Bestellnr.: 140947

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Infrarot-Sendediode TEMIC TSHA6500, 10 Stück

5 mm IR-LED mit klarem Gehäuse. Ideal zum Einsatz in Fernbedienungen, Sensorik, Lichtschranken, Rauchmeldern usw. 10 Stück.Technische Daten:- Spannung: 1,5 V- Strom: 100 mA- Wellenlänge: 875 nm- Strahlungsintensität: max. 60 mW/sr

Bestellnr.: 121480

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Diode 1N4936, 10 Stück

1N4936 - 1 A - 400 V - 10 Stück

Bestellnr.: 140372

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SMD Dual-Diode MMBD1203

100 V, 200 mA, SOT-23.

Bestellnr.: 140841

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Diode, BYV27-150, 2 A, 150 V

BYV27-150 - 2 A - 150 V

Bestellnr.: 140303

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Diode RS8DT

8 A, 200 V, TO-220AC.

Bestellnr.: 140801

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MBR 20200CT, Schottkydiode, 200 V, 20 A (2x10A), TO220

Schottkydiode 200 V, 20 A (2x10A), im TO 220 AB Gehäuse.

Bestellnr.: 140871

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Dioden, 1N4149, 0,5 A, 100 V, 10 Stück

1N4149 - 0,5 A - 100 V - 10 Stück

Bestellnr.: 140670

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Dioden, 1N4002, 1 A, 100 V, 10 Stück

1N4002 - 1 A - 100 V - 10 Stück

Bestellnr.: 140296

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Zenerdiode BZX85C5V1, 5,1 V, 1,3 W, 10 Stück

5,1 V - 1,3 W - 10 Stück

Bestellnr.: 140595

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VISHAY Zenerdiode, BZX85/2,7V,

Technische Daten:- Gehäuse: DO 41 - P max: 1,3W- Toleranz: +/- 5%

Bestellnr.: 140777

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Dioden BA379, 10 Stück

VHF/UHF, 30 V, 20 mA, 0,3 pF, SOD-52.

Bestellnr.: 140711

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DIOTEC Zenerdiode, ZY15, 2 W, 5 %

Technische Daten:- Gehäuse: DO41- P max: 2 W- Toleranz: 5 %- Marke: Diotec- Vz-Zener-Spannung: 15 V

Bestellnr.: 140894

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Einpressdiode SY170/2

Leistungsdiode (200 V/25 A) zum Einpressen in Kühlkörper. Ideal für Lichtmaschinen, Ladegeräte usw. Anode am Gehäuse. Erforderliche Einpressbohrung Ø 12,8 mm.

Bestellnr.: 140605

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