Transistoren
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Leistungs-Darlington-Transistor für Leistungsintensive SchalteranwendungenTechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 100 V- Kollektor-Basis-Spannung: 100 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 20 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 160
Bestellnr.: 131545
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Uds 250 V, Id25 93 A, Rds(on) 0,0175 Ω, Ugs(th) 3 V, td(on) 36 ns, td(off) 57 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-247AC- max. Drain-Source Voltage (Uds): 250 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 93 A-
Bestellnr.: 131367
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Uces 1200 V, Ics25 30 A, Icpuls 60 A, Ptot 217 W, Ugeth 5 V, tdon 21 ns, tdoff 260 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-247- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 1200 V- max. Continuous Collector Current at
Bestellnr.: 131157
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-14%
Uds 55 V, Id25 51 A, Rds(on) 0,0139 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 14 ns, td(off) 33 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 51 A-
Bestellnr.: 131295
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-10%
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(4)
N-FET - TO-92 - Ptot: 0,35 W - VDS: 60 V - VGS(th): 2 V - Id: 0,5 A
Bestellnr.: 130268
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(1)
Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO92 - U-max: 45V - I-max: 0,1A - P-max: 0,5W
Bestellnr.: 131500
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SONDERPOSTEN
(1)
P-Channel, VDS 200 V, VDGR 200 V, ID 3 A, IDM 12 A, RDS(ON) 1,5 Ω, TO-220.
Bestellnr.: 130754
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SONDERPOSTEN
NPN, VCES 1500 V, VCEO 800 V, IC 10 A, PC 45 W, TO-3PHIS.
Bestellnr.: 131446
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SONDERPOSTEN
Kleinleistungstransistor BC548C, NPN, Uces 30 V, Uceo 30 V, Ic 100 mA, Ptot 500 mW, hFE 420...800, TO-92.
Bestellnr.: 130113
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(1)
Leistungstransistor, bipolar, NF, NPN, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220.
Bestellnr.: 131097
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(2)
Kleinleistungstransistor, PNP, 45 V, 0,8 A, 200 MHz, hFE 160...400, TO-92.
Bestellnr.: 130008
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für Schaltaufgaben mit kleinem Ron (1,7 Ohm) und kurzen Schaltzeiten (typ 20 ns)Technische Daten:- Drain-Source-Spannung: 60 V- Drainstrom: 115 mA- Drain-Source-Einschaltwiderstand: 1,7 Ohm- Eingangskapazität: 20 pF- Ausgangskapazität: 11 pF-
Bestellnr.: 131528
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(1)
Leistungstransistor TIP3055, NPN 60V, 15A, 90W, B:20-70, TO247
Bestellnr.: 130326
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NF/S-L, 100 V, 15 A, 115 W, > 2,5 MHz, TO-3.
Bestellnr.: 130056
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-50%
Für HF Verstärker aller Art, bis in den UHF-Bereich (ca. 1000 MHz);Montage THT.Technische Daten:- U DG max:30 V- U GS max: -30 V- I GF max: 10 mA- U GS-off: -0,5 … -8 V- I DSS min: 6 … 13 mA- g fs: 4,5 mA/V @ UGS = 0V; UDS = 15 V- P V max:
Bestellnr.: 131494
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Kleinleistungstransistor BC548B, NPN, Uces 30 V, Uceo 30 V, Ic 100 mA, Ptot 500 mW, hFE 200...450, TO-92.
Bestellnr.: 130110
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Kleinleistungstransistor BC337-25, NF, NPN, 45 V, 0,8 A, 0,62 W, 100 MHz, TO-92.
Bestellnr.: 130327
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(1)
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 17 A, 70 W, 0,09 Ω, TO-220AB.
Bestellnr.: 131116
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Technische Daten:- Polung: N-Ch - Gehäuse: SOT23 - U-max: 30V - I-max: 3A - P-max: 1,4W
Bestellnr.: 131101
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Leistungs-MOSFET, P-Channel, 55 V, 74 A, 200 W, 0,02 Ω, TO-220AB.
Bestellnr.: 131124
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-9%
Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO126 - U-max: 80V - I-max: 1,5A - P-max: 8W
Bestellnr.: 131093
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HF- Transistor, fT=1100 MHz, hfe min.=38Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 25 V- Kollektor-Basis-Spannung: 40 V- Emitter-Basis-Spannung: 4 V- Kollektorstrom: 0,1 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,35 W- Betriebstemperatur: -55 - 150
Bestellnr.: 131512
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Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss. RoHS konform.Technische Daten:- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm- Empfindlichkeit: 0,7 … 4,0 mA … 7,1 mA @ 1 mW/cm², VCE= 5 V- Öffnungswinkel: k.A.
Bestellnr.: 131490
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-23%
(1)
Uds 60 V, Id25 75 A, Rds(on) 0,0042 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 15 ns, td(off) 40 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 60 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 75 A-
Bestellnr.: 131260
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Technische Daten:- Polung: PNP - Gehäuse: TO126 - U-max: 80V - I-max: 1,5A - P-max: 8W
Bestellnr.: 131094
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-6%
Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker; Impedanzwandler (Fotodioden); NF/(HF)-Verstärker;Konstantstrom-Quellen; Steuerbare Widerstände in Regelschaltungen;Gitarrenverstärker usw.; Montage THT.Weitere J-FETs für diese
Bestellnr.: 131478
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Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen bis 160V, kompl = 2N5401Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 160 V- Kollektor-Basis-Spannung: 180 V- Emitter-Basis-Spannung: 6 V- Kollektorstrom: 600 mA- Verlustleistung @Ta=25 °C: 625 mW-
Bestellnr.: 131526
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SONDERPOSTEN
(3)
Kleinleistungstransistor BC546B, NPN, VCEO 65 V, VCBO 80 V, IC 0,1 A, Ptot 0,5 W, hFE 240...500, TO-92.
Bestellnr.: 130651
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Kleinleistungstransistor ,PNP, VCBO 40 V, VCES 40 V, IC 1 A, Ptot 3,7 W, 50 MHz, TO-39.
Bestellnr.: 130005
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-8%
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 55 V, 31 A, 110 W, 0,06 Ω, TO-220AB.
Bestellnr.: 131123
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
Technische Daten:- Polung: NPN- Gehäuse: TO92 - U-max: 30V - I-max: 0,5A - P-max: 0,62W
Bestellnr.: 131090
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
(1)
Leistungstransistor, bipolar, NF, PNP, 100 V, 15 A, 90 W, TO-220.
Bestellnr.: 131098
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
Technische Daten:- Polung: PNP - Gehäuse: TO92 - U-max: 45V - I-max: 0,1A - P-max: 0,5W
Bestellnr.: 131085
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
-25%
Leistungs-MOSFET, P-Channel, 100 V, 14 A, 79 W, 0,2 Ω, TO-220AB.
Bestellnr.: 131121
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO92 - U-max: 80V - I-max: 1A - P-max: 0,8W
Bestellnr.: 131087
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = BD136-16Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V- Kollektor-Basis-Spannung: 45 V- Emitter-Basis-Spannung: 5 V- Kollektorstrom: 1,5 A- Gesamtverlustleistung: 1,25 W-
Bestellnr.: 131541
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
Technische Daten:- Polung: N-Ch - Gehäuse: TO252AA - U-max: 55V - I-max: 17A - P-max: 45W
Bestellnr.: 131109
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
-22%
Uds 200 V, Id25 30 A, Rds(on) 0,075 Ω, Ugs(th) 2 V, td(on) 14 ns, td(off) 41 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-247AC- max. Drain-Source Voltage (Uds): 200 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 30 A-
Bestellnr.: 131345
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
SONDERPOSTEN
Kleinleistungstransistor BC558A, PNP, bipolar; 30 V, 100 mA, 500 mW, TO92
Bestellnr.: 130012
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
TSM3401CX MOSFET 30 V, 3 A, SOT-23-3, P-ChannelTechnische Daten:- Polung: P-Ch - Gehäuse: SOT23 - U-max: 30V - I-max: 5,8A - P-max: 1,25W
Bestellnr.: 131102
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
Für Nf-Verstärker und Schaltanwendungen. Kompl. = BC557ATechnische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V-Kollektor-Basis-Spannung: 50 V- Emitter-Basis-Spannung: 6 V- Kollektorstrom: 0,1 A- maximaler Kollektorstrom: 0,2 A- Verlustleistung
Bestellnr.: 131534
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
NF- Transistor für Spannungen bis 80 V, kompl. = MPSA56Technische Daten:- Kollektor-Emitter-Spannung: 80 V- Kollektor-Basis-Spannung: 80 V- Emitter-Basis-Spannung: 4 V- Kollektorstrom: 0,5 A- Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,625 W-
Bestellnr.: 131517
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
Kleinleistungstransistor BC107B, NPN, 45 V, 0,2A, 0,3W, B:200-450, TO18
Bestellnr.: 130841
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(1)
Kleinleistungstransistor BC556B, PNP, Uces 80 V, Ucbo 80 V, Ic 100 mA, Ptot 500 mW, hFE 200...450, TO-92.
Bestellnr.: 130363
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(1)
Leistungs-MOSFET, N-Channel, 100 V, 33 A, 130 W, 0,044 Ω, TO-220AB.
Bestellnr.: 131117
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
Technische Daten:- Polung: NPN - Gehäuse: TO92 - U-max: 300V - I-max: 0,5A - P-max: 0,62W
Bestellnr.: 131091
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
Uds 55 V, Id25 47 A, Rds(on) 0,022 Ω, Ugs(th) 1 V, td(on) 11 ns, td(off) 26 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: Leistungs-MOSFET- Bauform: TO-220AB- max. Drain-Source Voltage (Uds): 55 V- max. Continuous Drain Current at Tc 25°(Id25): 47 A-
Bestellnr.: 131321
Sofort lieferbar, Lieferzeit 2-4 Werktage
