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SONDERPOSTEN
IRFDC20PBF Power MOSFET

IRFDC20PBF Power MOSFET

  • 131477
  • 4049702156628

Top-Features:
  • 600V max. Drain-Source Voltage (Vds)
  • 0,32A max. Continuous Drain Current at Ta 25°
  • 4,4Ω max. Drain-Source On-Resistance (Rds on)
  • 2V min. Gate Threshold Voltage (Vgs th)
  • 10ns Turn On Delay Time (td on)

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IRFDC20PBF Power MOSFET

Leistungs-MOSFET im HVMDIP- Gehäuse.

Technische Daten:
  • max. Drain-Source Voltage (Vds): 600 V
  • max. Continuous Drain Current at Ta 25°: 0,32 A
  • max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 4,4 Ω
  • min. Gate Threshold Voltage (Vgs th): 2 V
  • Turn On Delay Time (td on): 10 ns
  • Turn Off Delay Time (td off): 30 ns

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