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IRFDC20PBF Power MOSFET

IRFDC20PBF Power MOSFET

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IRFDC20PBF Power MOSFET

Leistungs-MOSFET im HVMDIP- Gehäuse.

Technische Daten:
  • max. Drain-Source Voltage (Vds): 600 V
  • max. Continuous Drain Current at Ta 25°: 0,32 A
  • max. Drain-Source On-Resistance (Rds on): 4,4 Ω
  • min. Gate Threshold Voltage (Vgs th): 2 V
  • Turn On Delay Time (td on): 10 ns
  • Turn Off Delay Time (td off): 30 ns


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