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Artikelnummer: 131495

ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J176, P-Channel, TO-92

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ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J113, N-Channel, TO-92
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Artikelnummer: 131478
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    ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J112, N-Channel, TO-92
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    Artikelnummer: 131492
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    ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J175, P-Channel, TO-92
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    Artikelnummer: 131493
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    ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J113, N-Channel, TO-92
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    ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J175, P-Channel, TO-92
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    ON SEMICONDUCTOR Transistor, Kleinsignal, BC547CBU
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    Artikelnummer: 130370
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      ON SEMICONDUCTOR Transistor, Kleinsignal, BC327-25BU
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      Artikelnummer: 131481
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        Transistor BC337-25, NPN, 45 V, 0,8 A, TO92
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        Artikelnummer: 130327
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        Transistor BC556B, PNP, 80 V, 0,1 A, TO92
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        Artikelnummer: 130363
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          Transistor BC337-16, NPN, 45 V, 0,8 A, TO92
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          Artikelnummer: 130455
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          Transistor, BC559B, Bipolar
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          Artikelnummer: 130638
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          Transistor BC546B, NPN, 65 V, 0,1 A, 0,5 W, TO92
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          Artikelnummer: 130651
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          Transistor, Schalter, BC639
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          Artikelnummer: 131087
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          Transistor, Kleinsignal, MPSA42
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          Artikelnummer: 131091
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          ON Semiconductor, Transistor, MJH6284, NPN, THT
          ON Semiconductor, Transistor, MJH6284, NPN, THT
          Artikelnummer: 131545
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          CDIL Transistor, Kleinsign, BC547C
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          Artikelnummer: 131500
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          Produktinformationen "ON SEMICONDUCTOR J-FET, Kleinsignaltransistor, J176, P-Channel, TO-92"
          Für Analogschalter; Sample-Hold Schaltungen; Chopper-Verstärker.
          Impedanzwandler; Konstantstromquellen; steuerbare Widerstände in Regelschaltungen usw; Montage THT.
          Weitere J-FETs für diese Anwendungen: J175; (N-Ch.: J111; J112; J113).

          Technische Daten:

          • U DG max:-30 V
          • U GS max: 30 V
          • I GF max: 50 mA
          • U GS-off: 1 … 4 V
          • I DSS min: -2 … -25 mA
          • g fs: typ. 8 mA/V @ UGS = 0V; UDS = 15 V
          • R DS on max: 250 Ohm
          • P V max: 350 mW @ 25°C – 2,8 mW/°C
          • Rauschen: 8 nV/Sqrt Hz @ I D = 5 mA; f=1kHz

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