Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.Technische Daten:- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm- Empfindlichkeit: 0,7 … 2,0 typ … 5,07 mA @ 1mW/cm², VCE= 5V- Öffnungswinkel: k. A.
Bestellnr.: 131487
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Schneller, empfindlicher Infrarot Fototransistor im Tageslicht-gefilterten schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.Technische Daten:- Wellenlänge (50%-max-50%): 760-940-1100 nm- Empfindlichkeit: 0,7 … 5,07 mA @ 1 mW/cm²; VCE= 5 V-
Bestellnr.: 131486
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Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss. RoHS konform.Technische Daten:- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm- Empfindlichkeit: 0,7 … 4,0 mA … 7,1 mA @ 1 mW/cm², VCE= 5 V- Öffnungswinkel: k.A.
Bestellnr.: 131490
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Schneller, empfindlicher Fototransistor im wasserklaren Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.Technische Daten:- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm- Empfindlichkeit: 0,8 … 5,0 mA @ 0,555 mW/cm², VCE= 5 V- Öffnungswinkel: k. A. -
Bestellnr.: 131488
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Schneller, empfindlicher Doppel-Fototransistor mit gemeinsamen Kollektor; im schwarzen Gehäuse; ohne Basisanschluss; RoHS konform.Technische Daten:- Wellenlänge (50%-max-50%): 400-940-1100 nm- Empfindlichkeit: 0,13 … 1,1 mA @ 0,555 mW/cm², VCE=
Bestellnr.: 131489
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Fototransistor-Ausgang, DIP-4.
Bestellnr.: 120820
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-49%
SONDERPOSTEN
Infrarot-Diode und Fototransistor-Ausgang, DIP-4. 10 Stück.
Bestellnr.: 121101
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-55%
SONDERPOSTEN
SMD-Optokoppler mit Darlington Fototransistor Ausgang.
Bestellnr.: 121068
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SONDERPOSTEN
MB104/4C, aus DDR-Beständen, Opto vergleichbar mit CNY 17, bestehend aus einer IR-Diode im Eingangsbereich und einem planaren npn-Si-Fototransistor im Ausgangsbereich, DIP-6, 200 mW,Kollektor-Emitter-Strom bei If =10 mA, Uce = 5 V Ice(h)=20 mA
Bestellnr.: 120755
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SONDERPOSTEN
MB104/4B, aus DDR-Beständen, Opto vergleichbar mit CNY 17, bestehend aus einer IR-Diode im Eingangsbereich und einem planaren npn-Si-Fototransistor im ausgangsbereich, DIP-6, 200 mW, Kollektor-Emitter-Strom bei If=10 mA, Uce=5 V, Ice(h)=12,5 mA
Bestellnr.: 120758
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SONDERPOSTEN
MB104/4A, aus DDR-Beständen, Opto vergleichbar mit CNY 17, bestehend aus einer IR-Diode im Eingangsbereich und einem planaren npn-Si-Foto- transistor im Ausgangsbereich, DIP-6, 200 mWKollektor-Emitter-Strom bei If=10 mA, Uce=5 V, Ive(h)=8 mA
Bestellnr.: 120760
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Wird ein Finger zwischen der Infrarot-Leuchtdiode und dem Foto-Transistor gehalten, so kann am Signalausgang der Puls detektiert werden.Technische Daten:- Betriebsspannung: 5 V- Maße(LxBxH): 16 x 78 x 3 mm
Bestellnr.: 810917
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-8%
BOB3 ist ein speziell für Schüler entwickelter, kleiner Roboter zum selber Bauen und Programmieren lernen. Die BOB3-Platine besteht aus insgesamt 26 Bauteilen: der ATmega88A und 12 weitere SMD-Bauteile sind vorbestückt, 13 THT-Bauteile werden selber
Bestellnr.: 810809
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-10%
BOB3_SMD ist ein fertig zusammengebauter BOB3 Roboter, der speziell zum Programmieren lernen für Schüler entwickelt wurde. BOB3 hat Touch-Sensoren als Arme, er kann einen IR-Code senden und empfangen, er kann seine weißen Scheinwerfer einschalten,
Bestellnr.: 810811
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