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SONDERPOSTEN

INFINEON SMD Transistor BFN24

Hochvolt-Transistor, NPN, 250/250 V, 0,2 A, 0,36 W, SOT-23.

Bestellnr.: 131136

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INFINEON IGBT IGW40N65F5

Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 255 W, Ugeth 3,2 V, tdon 19 ns, tdoff 160 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-247- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 650 V- max. Continuous Collector Current at

Bestellnr.: 131155

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INFINEON Transistor, IRF8736TRPBF , SMD, Leistung

Technische Daten:- Polung: N-Ch - Gehäuse: SO8 - U-max: 30V - I-max: 18A - P-max: 2,5W

Bestellnr.: 131104

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INFINEON IGBT IGW40N60H3

Uces 600 V, Ics25 80 A, Icpuls 160 A, Ptot 306 W, Ugeth 4,1 V, tdon 19 ns, tdoff 197 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-247- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 600 V- max. Continuous Collector Current at

Bestellnr.: 131154

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INFINEON IGBT IGP40N65F5

Uces 650 V, Ics25 74 A, Icpuls 120 A, Ptot 250 W, Ugeth 4 V, tdon 20 ns, tdoff 175 ns, TO-220.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-220- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 650 V- max. Continuous Collector Current at 25°(Ic25):

Bestellnr.: 131143

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INFINEON Transistor, IRF7416PBF , SMD, Leistung

Technische Daten:- Polung: P-Ch - Gehäuse: SO8 - U-max: 30V - I-max: 10A - P-max: 2,5W

Bestellnr.: 131484

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INFINEON IGBT IKW25N120T2

Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 349 W, Ugeth 5,2 V, tdon 27 ns, tdoff 265 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-247- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 1200 V- max. Continuous Collector Current at

Bestellnr.: 131159

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INFINEON Transistor, IRFR024NTRLPBF , SMD, Leistung

Technische Daten:- Polung: N-Ch - Gehäuse: TO252AA - U-max: 55V - I-max: 17A - P-max: 45W

Bestellnr.: 131109

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INFINEON IGBT IKW15N120H3

Uces 1200 V, Ics25 30 A, Icpuls 60 A, Ptot 217 W, Ugeth 5 V, tdon 21 ns, tdoff 260 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-247- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 1200 V- max. Continuous Collector Current at

Bestellnr.: 131157

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INFINEON IGBT IGW25N120H3

Uces 1200 V, Ics25 50 A, Icpuls 100 A, Ptot 326 W, Ugeth 5 V, tdon 27 ns, tdoff 277 ns, TO-247.Technische Daten:- Typ: IGBT- Bauform: TO-247- max. Collector-Emitter Breakdown Voltage (Uces): 1200 V- max. Continuous Collector Current at

Bestellnr.: 131153

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INFINEON Transistor, IRFR1205PBF , SMD, Leistung

Technische Daten:- Polung: N-Ch - Gehäuse: TO252AA - U-max: 55V - I-max: 44A - P-max: 107W

Bestellnr.: 131110

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