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Artikelnummer: 141008

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S11AH

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S12AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S11AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S24AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S28AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S30AH
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    DIOTEC Dioden 1N5404, 10 Stück
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    Diode 1N4007, axial
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    Dioden 1N4007G, Packung mit 10 Stück
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    BAT 46 Schottky Diode 100 V, 0,15 A
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    VISHAY Infrarot-Sendediode TEMIC TSHA6500, 10 Stück
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    Artikelnummer: 121480
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    Schottky-Diode 1N5822, 3 A/40 V
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    Artikelnummer: 936059
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    Dioden, 1N4004, 1 A, 400 V, 10 Stück
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    Artikelnummer: 140298
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    Diode, 1N4004, 1 A, 400 V
    Diode, 1N4004, 1 A, 400 V
    Artikelnummer: 140018
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    Diode RS8DT
    Diode RS8DT
    Artikelnummer: 140801
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      MBR 1660, Schottkydiode, 60 V, 16 A , TO220
      MBR 1660, Schottkydiode, 60 V, 16 A , TO220
      Artikelnummer: 140872
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      Produktinformationen "TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S11AH"
      Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.

      Technische Daten:

      • Arbeitsspannung: 11 V
      • Breakdown-Spannung min/max: 12,2/13,5 V
      • Peak Pulse Power Pppm: 4600 W
      • Peak Pulse Current Ipp: 253 A
      • Peak Forward Voltage: 1,9 V
      • Clamping Voltage @ Ippm: 18,2 V

      Verfügbare Downloads

      Dioden-Typ: TVS-Diode
      Farbe: schwarz
      Menge: 1 St.
      Nennspannung max.: 11 V

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