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Artikelnummer: 141007

TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S10AH

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    Top-Features:
    • Arbeitsspannung: 10 V
    • Breakdown-Spannung min/max: 11,1/12,3 V
    • Hochleistungs-TVS-Diode
    • DO-218AB-Gehäuse
    • Peak Pulse Power 4600 W
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    Artikelnummer: 141027
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    SMD-Standarddioden BYM11-600, 10 Stück
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    Artikelnummer: 140369
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    Diode RS8DT
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    Artikelnummer: 140801
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    Diode 1N4007, axial
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    Artikelnummer: 140020
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    Dioden 1N4007G, Packung mit 10 Stück
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    Artikelnummer: 140727
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    Dioden, 1N4004, 1 A, 400 V, 10 Stück
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    Artikelnummer: 140298
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    Schottky-Diode 1N5822, 3 A/40 V
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    Artikelnummer: 936059
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    Dioden, 1N4003, 1 A, 200 V, 10 Stück
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    Artikelnummer: 140297
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      Schottky-Diode 1N5819
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      Artikelnummer: 140731
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      Dioden, 1N5817, 1 A, 20 V, 10 Stück
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      Artikelnummer: 140542
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      BAT 46 Schottky Diode 100 V, 0,15 A
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      Artikelnummer: 140856
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        MBR 2560 CT, Schottkydiode, 60 V, 30 A (2x15A), TO220
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        Artikelnummer: 140873
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        Diode, 1N4004, 1 A, 400 V
        Diode, 1N4004, 1 A, 400 V
        Artikelnummer: 140018
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        Produktinformationen "TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S10AH"
        Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse.

        Technische Daten:

        • Arbeitsspannung: 10 V
        • Breakdown-Spannung min/max: 11,1/12,3 V
        • Peak Pulse Power Pppm: 4600 W
        • Peak Pulse Current Ipp: 271 A
        • Peak Forward Voltage: 1,9 V
        • Clamping Voltage @ Ippm: 17,0 V

        Verfügbare Downloads

        Dioden-Typ: TVS-Diode
        Farbe: schwarz
        Menge: 1 St.
        Nennspannung max.: 10 V

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